1nm等于多少m 1m=多少mm=多少um=多少nm

依照摩尔定律，每隔一定的时间周期，通常是18个月，芯片的晶圆管密度便能翻倍增长，随之性能也得以显著提升。

回顾过去的几十年，芯片制程基本上遵循着摩尔定律的步伐发展。当进入7nm制程后，其演进速度明显减缓。例如，5nm、3nm的制程推进所面临的技术挑战显著增多，因而有些人认为摩尔定律已不复存在。

尽管如此，IMEC（比利时微电子中心）最新公布的芯片制造发展蓝图仍旧展现了令人振奋的前景。这一蓝图甚至延伸至2036年，预测将实现0.2nm的工艺制程，这似乎预示着芯片制造仍将遵循摩尔定律继续前行。

根据此路线图，预计在2022年将实现N3制程，即3nm工艺；到2024年则有望达到2nm；至2026年，A14制程，也就是1.4nm工艺将得以实现；而到了2028年，则可能跨入1nm的新纪元。这预示着技术将不断突破极限，迈向更远的未来。

与此晶圆管技术也在不断演进。当前主流的FinFET技术之后，2nm制程将采用GAAFET技术，而当制程推进至更先进的阶段时，CFET技术将被引入。

当我们仔细观察绿色框内标注的部分时，便会注意到MP金属栅极距这一重要参数。这才是真正代表晶体管密度的指标，即工艺水平的关键参数。

在接近1nm的制程之前，这一参数仍在持续缩小。但当达到1nm工艺时，其值稳定在16nm。随后的技术无论多么先进，其MP金属栅极距始终在16-12nm之间徘徊。

这表明，晶体管密度的变化实际上已经趋于稳定。无论是1nm、0.5nm还是0.2nm制程，MP金属栅极距的变化已不再显著。这也意味着芯片的物理极限正在逐渐接近。

事实上，有科学家指出，当芯片工艺进入1nm以下时，量子隧穿效应可能对半导体性能造成影响。这或许解释了为何在1nm之后，MP金属栅极距不再发生显著变化——因为物理极限已经达到。

这也意味着未来的制程数字更多是一种市场和营销的游戏。晶圆厂商所宣称的制程数字与实际的晶体管密度可能不再有直接关系。摩尔定律在未来的意义究竟何在？是否仍具有指导价值？这值得业内外人士深入思考。

进入10nm制程后，我们便发现台积电和三星等公司的所谓nm工艺制程与MP金属栅极距之间的对应关系已经不再明显。数字营销似乎成为了主流。即便到了1nm以下，这种数字游戏也将继续。那么在这样的背景下，摩尔定律是否仍具有其独特的价值与意义？